近红外波段InAs量子点结构与光学特性

摘要：

采用分子束外延技术,分别在480,520 ℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7 ML的InAs/GaAs量子点.用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布.结果表明,在相应的生长温度下,量子点密度分别为8.0×1010, 5.0×109 cm-2,提高生长温度有利于获得大尺寸的量子点,并且量子点按高度呈双模分布.结合光致发光谱的分析,在480 ℃的生长条件下,最近邻量子点之间的合并导致了量子点尺寸的双模分布;而在525 ℃的生长温度下,In偏析和InAs解析是形成双模分布的主要原因.

关键词：量子点、分子束外延、光致发、原子力显微镜

所属期刊栏目：28

分类号：O472.3;O482.31;TN304.2+3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60476042;天津市应用基础研究项目06YFJZJC01100;教育部长江学者和创新团队发展计划

在线出版日期：2007-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：104-108