Li嵌入对V2O5电子结构及光学性质的影响

摘要：

采用第一性原理局域密度近似法计算了V2O5的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响.计算结果表明,V2O5是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式.但Li的嵌入使得V2O5导带能量下移,禁带宽度减小,导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽.电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响.Li 2s电子的注入提高了V2O5的费米能级并导致其进入导带.由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级,这致使体系实际的光学带隙增大.同时随着Li注入量的进一步增加,价带的展宽更为明显,费米能级亦呈升高的趋势,使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大.

关键词：第一性原理、V2O5、Li嵌入、电子结构、光学性质

所属期刊栏目：28

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划001CB610505;国家自然科学基金60376015;60336020;福建省青年科技人才创新基金2005J005;Project of Young Talents Innovation of Fujian Province2005J005

在线出版日期：2007-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6