N2掺杂p型ZnO及ZnO同质p-n结LED的制备

摘要：

采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了p型ZnO薄膜及同质p-n结.I-V曲线显示该p-n结具有整流特性,直流驱动下获得了稳定的室温电致发光,包括位于420 nm附近的发光峰和500～700 nm的发光带.

关键词：氧化锌、发光二极管、N掺杂

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分类号：O482.31;TN383.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60336020;50532050;中国科学院知识创新工程项目;国家自然科学基金60429403;60506014;60376009;50402016;60501025

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1026-1028