ZnO纳米线的合成与生长机理

摘要：

采用化学气相沉积系统制备ZnO纳米线,以覆盖一层约5 nm厚的Ag薄膜的单晶Si(001)为衬底,纳米线的生长遵循气-液-固(VLS)机理.对得到的样品采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)进行晶体结构和形貌的表征.XRD结果表明衬底温度在600～700 ℃时生长的ZnO纳米线具有六方结构和统一的取向.通过扫描电子显微镜分析,比较了生长温度对纳米线直径和长度的影响.实验表明我们可以通过催化剂和温度来实现ZnO纳米线生长的可控.与传统的VLS生长方式不同的是在我们制备的ZnO纳米线顶端并没有看到催化剂颗粒,表明纳米线的生长方式是底部生长,我们对其生长机理进行了研究.

关键词：ZnO纳米线、气-液-固生长机制、催化剂、生长机理

所属期刊栏目：27

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60390073;国家预研基金ZJ0508

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：991-994