MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InP DBR结构的晶格振动

摘要：

利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InP DBRs结构的晶格振动.在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15中包含三种主要的振动模式,分别归属于类InAs、类GaAs和类GaInP.随着Ga0.4In0.6As0.85P0.15与InP交替生长构成的DBRs结构周期数增加,Raman散射谱中三种振动模式的谱线线型发生明显变化,类InAs振动强度不变,谱线窄化,峰值位置向低频方向移动,类GaAs和类GaInP振动强度逐渐减弱.同时类InAs与类GaAs振动强度比增大.Raman散射研究中声子的限制效应表明多层结构生长过程中界面存在非完整晶态.

关键词：MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InP、分布布喇格反射镜结构、Raman散射、晶格振动

所属期刊栏目：27

分类号：O484.41(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50072030;60177014

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：967-970