n(Zn):n(Ga)比值对合成ZnGa2O4结构及光致发光性能的影响

摘要：

以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究.用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线.对检测结果分析认为: 1. ZnGa2O4 属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构中,并对ZnGa2O4的晶格常数产生一定影响.2. ZnGa2O4存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[Td(Ga-O)],最大激发波长约248 nm,最大发射波长约367 nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[Oh(Ga-O)],最大激发波长约270 nm,最大发射波长约441 nm.当n(Zn)∶n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移.3. ZnGa2O4的热稳定性能非常好.上述结论对研究ZnGa2O4基质或掺杂的发光材料具有一定意义.

关键词：ZnGa2O4、n(Zn)∶n(Ga)、晶体结构、光致发光

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分类号：O482.31(固体物理学)

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：963-966