脉冲激光沉积(PLD)法生长高质量ZnO薄膜及其发光性能

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.优化工艺(700 ℃,20 Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.室温光致发光(PL)谱分析结果表明,随着薄膜生长时O2分压的增大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强,表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善.O2分压为20 Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量.

关键词：ZnO薄膜、脉冲激光沉积、光致发光

所属期刊栏目：27

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：大连理工大学优秀青年教师培养基金2005

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：958-962