采用PVA方法制备ZnO基发光稀磁半导体

摘要：

不同的制备工艺对ZnO薄膜的微结构和性能有很大的影响,为了得到成本较低,样品具有较好特性的实验方法,对于制备手段进行了探索.使用PVA溶胶-凝胶法制备了Zn0.88Co0.12O薄膜,研究了不同退火工艺对其微结构的影响.对于Zn0.88Co0.12O样品的微结构和室温下的铁磁性和发光特性,具体比较分析了产生原因.对比了Co掺杂和复合Co、Fe掺杂Zn0.88(Co0.5Fe0.5)0.12O样品的微结构,采用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的磁特性,发现单一掺杂的薄膜具有更好的晶体质量和更强的磁性.

关键词：PVA方法、ZnO薄膜、掺杂

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分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：安徽省年度重点科技项目05022045;安徽省科学和技术带头人基金01080210

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：939-944