ZnO薄膜的制备和结构特性及应变

摘要：

在SiO2/Si衬底上面,利用射频磁控溅射方法,在不同的工艺条件下生长ZnO薄膜,然后进行热处理(600～1 000 ℃退火).研究了氩氧比和退火温度对薄膜结晶性能的影响.薄膜的表面结构和晶体特性通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)来进行表征.结果表明:所制备的薄膜为多晶纤锌矿结构,具有垂直于衬底的c轴(002)方向的择优取向性.热处理可使ZnO(002)衍射峰相对强度增强,半峰全宽(FWHM)变小,即退火使c轴生长的薄膜取向性增强.未经退火的ZnO薄膜存在张应力,经过热处理后应力发生改变,最后变成压应力,并且随着退火温度的升高,压应力逐渐增大.

关键词：ZnO薄膜、射频磁控溅射、X射线衍射、扫描电子显微镜

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分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2001CB610505;2001CB610506;2002CB211800;2002CB211807;国家自然科学基金90206039;福建省科技计划2005H043;厦门大学校科研和教改项目XMKJCX20051025

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：922-926