ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

摘要：

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善.ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件电流密度提高了近2 倍,亮度提高了2 倍;当ZnS缓冲层厚度为10 nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善.宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能.

关键词：有机发光二极管、ZnS超薄膜、空穴缓冲层、电流效率

所属期刊栏目：27

分类号：TN383.1;TN873.3(半导体技术)

资助基金：广东省自然科学基金06025173

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：877-881