极性半导体膜中的束缚极化子

摘要：

采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚极化子的基态能量、自陷能随膜厚d的变化关系.得出束缚极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的(Etre-LO)极化子效应;第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的.后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献(Etre-SO(+),Etre-SO(-)).通过对KCl半导体膜的数值计算表明,Etre-LO随膜厚d的增加而增加;但是Etre-SO、极化子的振动频率以及电子-声子相互作用所产生的总自陷能Etre-ph随膜厚d的增加而减少,当膜厚大于5 nm时,总自陷能Etre-ph趋于一稳定值.另外,由于束缚势的存在,使极化子的振动频率增大,这主要是由于束缚势的存在,使电子-声子间的相互作用增强,极化子效应增大而引起的.

关键词：极性晶体膜、束缚极化子、线性组合算符、自陷能

所属期刊栏目：27

分类号：O469;O472.3(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金10347004

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：843-848