氧分压对PLD制备ZnO薄膜结构和发光性质的影响

摘要：

采用脉冲激光沉积 (PLD)技术,在Si (100 )衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射(XRD)谱,扫描电镜(SEM)和室温光致发光(PL)光谱的测量,研究了生长气氛压强的改变对薄膜结构和光致发光的影响.实验结果表明,当氧压从10 Pa升高到100 Pa时ZnO(002)衍射峰的半峰全宽(FWHM)增大.可以认为这是由于较高的氧压下,到达衬底表面的离子动能减小.这样部分离子没有足够的能量迁移到生长较快的(002)面,c轴取向变差,导致(002)衍射峰的强度降低,半峰全宽增大.随着氧压增大,紫外发光强度增强.这可能是氧压变大,薄膜的化学配比升高,说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响.改变氧气压强对薄膜的表面形貌也有较大的影响.

关键词：氧化锌、脉冲激光沉积、化学配比、光致发光、半峰全宽(FWHM)

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分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金Y2002A09

在线出版日期：2006-11-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：787-791