10.3321/j.issn:1000-7032.2006.05.027
基于SS CVD方法的a-b轴取向ZnO薄膜制备
以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Single source chemical vapor deposition, SS CVD)在Si (100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的锌氧化学计量比进行了分析.研究结果表明:在非平衡条件下所得到的ZnO薄膜沿a-b轴取向生长,基片温度对ZnO薄膜生长过程影响较大,随着基片温度的升高,薄膜呈现c轴生长趋势;晶粒成柱状、尺寸均匀、膜层结构致密;薄膜样品中nZn∶nO=0.985.
ZnO薄膜、单源化学气相沉积、a-b取向
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O472.3;O482.31(半导体物理学)
国家自然科学基金60390073;国家预研基金ZJ0508
2006-11-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
773-776