基于SS CVD方法的a-b轴取向ZnO薄膜制备

摘要：

以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Single source chemical vapor deposition, SS CVD)在Si (100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的锌氧化学计量比进行了分析.研究结果表明:在非平衡条件下所得到的ZnO薄膜沿a-b轴取向生长,基片温度对ZnO薄膜生长过程影响较大,随着基片温度的升高,薄膜呈现c轴生长趋势;晶粒成柱状、尺寸均匀、膜层结构致密;薄膜样品中nZn∶nO=0.985.

关键词：ZnO薄膜、单源化学气相沉积、a-b取向

所属期刊栏目：27

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60390073;国家预研基金ZJ0508

在线出版日期：2006-11-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：773-776