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10.3321/j.issn:1000-7032.2006.05.026

高分子软模板法自组装生长ZnO纳米线及其光学性能

引用
采用自组装技术,利用均聚极性高分子(聚丙烯酰胺、聚乙烯醇等)长分子链作为自组装模板在半导体硅衬底上自组装生长出ZnO纳米线.采用扫描电镜(FE-SEM)和透射电镜(HRTEM)对样品的表面形貌和结构分析表征的结果表明,ZnO纳米线直径约50~80 nm、长度大于4 μm,具有六方纤锌矿单晶结构,且沿c轴方向择优取向生长.采用室温下光致发光(PL)谱和紫外吸收(UV)光谱对制得的ZnO纳米线的光学性能研究表明,其PL光谱上有较强的紫外发射和较弱的蓝光发射,UV吸收光谱表明样品在紫外区有强的宽带吸收,且随着纳米线粒径的减小,吸收峰出现了蓝移现象.研究探讨了高分子诱导ZnO纳米线自组装定向生长机制、发光机理及其与工艺条件的内在联系.

氧化锌纳米线、自组装、高分子软模板、光致发光

27

O472.3;O482.31(半导体物理学)

上海市教委资助项目03AK30;上海市教委资助项目

2006-11-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

766-772

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1000-7032

22-1116/O4

27

2006,27(5)

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