PBD分子对聚合物发光二极管特性的影响

摘要：

研究了由聚合物发光材料poly(2-methoxy,5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)掺杂2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)制成的发光层厚度为80, 170 nm的高分子发光器件(PLEDs).研究了PBD不同掺杂浓度时器件的电流密度-电压(J-V)和亮度-效率-电压(L-E-V)特性,发现PBD除传输电子外,还阻挡空穴的注入和传输.研究发现,PBD的最优掺杂浓度为20%,掺入PBD后MEH-PPV的EL光谱红移且发生窄化,当PBD掺杂浓度为40%时MEH-PPV的EL光谱窄化最明显,EL光谱半峰全宽从100 nm减小到44 nm.

关键词：聚合物发光二极管、PBD、阻挡空穴

所属期刊栏目：27

分类号：TN381.1;TN873.3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2002CB613405

在线出版日期：2006-11-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：684-688