ZnO中Li相关缺陷结构性质

摘要：

采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种Li相关缺陷的有关几何和电子结构.通过不同模型的计算分析表明,ZnO中Li杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级.进一步通过构造Li替Zn位LiZn与不同本征缺陷所构成的复合体结构,并对模拟计算的结果进行分析比较得出,O反位OZn可与LiZn形成比Li间隙位更稳定的复合体,可高溶解度地稳定存在于ZnO中,并在禁带中产生受主能级,是较好的p型导电性候选缺陷.

关键词：ZnO、本征缺陷、Li掺杂、第一性原理计算

所属期刊栏目：27

分类号：O474;O775(半导体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目60376015;90206030;60336020;10134030;国家重点基础研究发展计划973计划001CB610505;福建省科技攻关项目2004H054;E0410007

在线出版日期：2006-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：509-513