常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析

摘要：

以去离子水(H2O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga2O3薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga2O3外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为O.25°,表明该Ga2O3外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子.

关键词：金属有机化学气相沉积、氧化镓、原子力显微镜、X射线衍射、二次离子质谱

所属期刊栏目：27

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关项目2003AA302160;国家信息工业电子发展基金2004125

在线出版日期：2006-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：417-420