ZnO/Zn界面对纳米ZnO薄膜光学性质的影响

摘要：

采用氧等离子体辅助电子束蒸发金属Zn后低温退火的方法制备纳米ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)谱、拉曼(Raman)谱、X射线光电子能谱(XPS)以及光致发光(PL)谱等手段,分析了退火温度及ZnO/Zn界面对样品的结构和发光性质的影响.Raman结果表明随着退火温度的升高,界面模式(Es)振动减弱并向低波数方向移动.当退火温度为400℃时,界面振动消失,Zn全部转化成具有六方纤锌矿结构的ZnO,得到化学配比的纳米ZnO薄膜.PL谱表明,经400℃退火处理的样品紫外发射最强,发光性质最好.

关键词：等离子体辅助电子束蒸发、纳米ZnO薄膜、ZnO/Zn界面、光致发光

所属期刊栏目：27

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：河北省高校重点学科建设项目

在线出版日期：2006-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：229-233