Si衬底GaN基LED的结温特性

摘要：

结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响.首次报道Si衬底GaN基LED的结温特性.利用正向压降法测量Si衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现Si衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为Si有更好的导热性.同时也表明:用Si作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力.

关键词：Si衬底、GaN、发光二极管、结温

所属期刊栏目：27

分类号：O482.31;TN312.8(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA302160;电子信息产业发展基金

在线出版日期：2006-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：211-214