热处理对ZnO:Zn荧光薄膜结晶性能的影响

摘要：

用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO:Zn荧光薄膜分别进行400,600℃退火处理.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光光谱等方法,表征了ZnO:Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能.在ZnO:Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密.在ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光谱中,检测到490 nm处发光峰,认为一价氧空位(Vo)充当发光中心,且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大.实验表明随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,薄膜的发光性能不断提高.

关键词：热处理、ZnO:Zn薄膜、电子束蒸发、场发射显示器(FED)

所属期刊栏目：27

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：天津理工大学校科研和教改项目Lg04032;Tianjin Natural Sci. Found013615211;天津市重点学科建设项目

在线出版日期：2006-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：206-210