生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

摘要：

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一.碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能.针对30～60英寸(76.2～152.4 cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度.结果表明生长温度越高(750 ℃),CNTs场发射性能越好.并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论.

关键词：碳纳米管、场发射平面显示器、丝网印刷、生长温度

所属期刊栏目：27

分类号：O462.4;TN873(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：上海市科委资助项目0452NM048;上海市科委资助项目035211036;上海市技术创新体系建设项目沪创新J-64;重庆市应用基础研究基金02105

在线出版日期：2006-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：123-128