GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触

摘要：

研究用于GaN基大功率倒装焊( Flip-chip ) 紫光LED(UV-LED)的高反射率p型欧姆接触的电学和光学性能.用磁控溅射的方法在GaN基LED外延片表面沉积了不同厚度Ag,Al,Au和Pd四种金属,测量了样品的反射率和透射率.结合同步辐射高强度X射线衍射和AFM对金属薄膜的晶体结构进行分析,并对表面形貌进行了观测, 对由金属薄膜构成的多层膜结构及其对光反射率的作用机理进行了研究.测量结果表明,在入射光波长为400 nm时,Ni/Au/Ag和Ni/Au/Al电极的反射率比Ni/Au的反射率提高了三倍.同时与p-GaN有良好的欧姆接触特性.

关键词：紫光LED、氧化镓、反射率、欧姆接触

所属期刊栏目：27

分类号：O482.31;TN312.8(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目60376005;60276010;国家科技攻关项目2001AA313140;2001AA313060

在线出版日期：2006-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：69-74