常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能

摘要：

以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680 ℃时,利用常压MOCVD在GaN/Al2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(DCXRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的表面形貌、结晶学性质、光学性质作了综合研究.双晶衍射表明,ZnO非对称(101-2)面ω扫描的半峰全宽(FWHM)仅为420 arcsec,估算所生长ZnO膜的位错密度大约为108 /cm2量级,这与具有器件质量的GaN材料的位错密度相当 .在ZnO薄膜的低温15 K光荧光谱中,观察到很强的自由激子和束缚激子发射以及自由激子与束缚激子的多级声子伴线.

关键词：金属有机化学气相沉积、GaN/Al2O3、原子力显微镜、X射线双晶衍射、光致发光

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分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家科技攻关项目2003AA302160;电子信息产业发展基金2004125

在线出版日期：2006-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：772-776