Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触

摘要：

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了Ni/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化Ni金属层的方法.获得接触电阻率(ρc)小于9.5×10-5 Ω·cm2,透过率达到74%(470 nm)的Ni/ITO-p-GaN电极.

关键词：p型氮化镓、Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO)、欧姆接触

所属期刊栏目：26

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：广东省深圳市科技计划2002-K1-65;广东省关键领域重点突破项目2B2003A107

在线出版日期：2006-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：757-760