非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性

摘要：

非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义.随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载流子会被量子阱再俘获,即在不同的量子阱之间发生了载流子的耦合.利用耦合多量子阱载流子动力学模型,模拟了非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性.研究表明,在不同温度下,各量子阱的光致荧光强度比强烈地依赖于量子阱的激活能差.光致荧光强度比的最大值与激活能差成指数关系,而其所对应的温度与激活能差成线性关系.

关键词：非对称双量子阱、光致荧光强度比、热逃逸、再俘获

所属期刊栏目：26

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目60476042;60444010;南开大学校科研和教改项目

在线出版日期：2006-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：753-756