10.3321/j.issn:1000-7032.2005.06.011
MOCVD侧向外延GaN的结构特性
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的.观察ELO-GaN 扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群.X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜.拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高.ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高.
侧向外延、金属有机化学气相沉积、氮化镓、原子力显微镜、拉曼散射
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O472.3;O482.31(半导体物理学)
中国科学院资助项目60376005;60276010;国家科技攻关项目2001AA313140;2001AA313060
2006-02-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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