10.3321/j.issn:1000-7032.2005.06.009
以LiF修饰阴极的有机电致发光器件性能的提高
提出了用一种无机半导体的模型来计算有机电致发光器件(OELDs)的J-V特性.通过在金属/有机物界面插入薄LiF层,由此引入的偶极子能极大地降低了电子的注入势垒和OELDs的开启电压.从而,载流子的注入得到了平衡,OELDs的性能得到了较大提高.经过数值计算,发现LiF插入层有一个约为1.5~5.0 nm的最优厚度.LiF层太厚或太薄都会提高器件的开启电压、降低器件的性能.结果表明:这一模型可以用来解释OELD通过LiF修饰阴极后性能的提高.
有机电致发光器件、电极修饰、界面偶极子
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TN383.1;TN873.3(半导体技术)
湖南省杰出青年科学基金03JJY1008;中国博士后科学基金2004035083;中南大学校科研和教改项目0601059
2006-02-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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