退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能 ZnO薄膜发光特性的影响

摘要：

研究了氧气退火和氮气退火对ZnO薄膜发光特性的影响.ZnO膜是采用常压金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上生长的.原生样品1有一很强的紫外峰及较强的绿光峰(525 nm附近);原生样品2有很强的紫外峰,深能级发光几乎观察不到.然后从不同原生膜上取两块小样品,分别在氧气和氮气中退火,退火温度是400,500,600,700,800℃.结果表明,在700℃以下退火,退火气氛对ZnO膜的深能级发光影响较大;超过700℃后,退火温度对ZnO薄膜的发光影响大,但退火气氛影响不太明显.通过退火对ZnO薄膜发光特性的影响,讨论了ZnO膜中525 nm附近绿光峰的起源.

关键词：退火、薄膜、ZnO、金属有机化学气相沉积、绿光

所属期刊栏目：26

分类号：O472.3;O4821.31(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划;信息产业部电子信息产业发展基金2003AA302160

在线出版日期：2005-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：611-616