10.3321/j.issn:1000-7032.2005.05.010
多量子阱超辐射发光二极管(SLD)热分布计算
对由8个量子阱所组成的条形超辐射发光二极管(Superluminescent diode,SLD)进行了热分析,计算了不同器件结构下的热阻和温度分布.计算结果表明,热阻变化受芯片宽度和长度的影响较大,可以达到两个数量级;当注入功率达到1 W时,有源区的温度将接近50 K.该分析对有效地设计芯片的结构,减少温度升高对SLD稳定性的影响具有指导意义.
超辐射发光二极管、热阻分布、有源区
26
O472.3;O482.31(半导体物理学)
天津市自然科学基金033601111
2005-11-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
607-610