10.3321/j.issn:1000-7032.2005.04.024
退火对ZnO薄膜质量的影响
用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(0001)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜,通过在生长温度下氧气和氮气中退火处理的比较,研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的影响.通过X射线衍射测量得知,经过氮气和氧气退火都可以使其002峰增强,且在氧退火中表现得尤为明显.光致发光测量发现氮气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰明显增强,而深能级发光峰明显减弱;而氧气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰略有减弱,而深能级峰显著增强.
蓝宝石、氧化锌薄膜、金属有机化学气相沉积、X射线衍射、退火
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O472.3;O482.31(半导体物理学)
国家高技术研究发展计划863计划2001AA311130
2005-09-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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