Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长

摘要：

利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析.结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10-12)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 meV.

关键词：氮化镓、Si(111)、金属有机化学气相沉积、双晶X射线衍射

所属期刊栏目：26

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：广东省深圳市科技计划2002-K1-65;广东省关键领域重点突破项目2B2003A107

在线出版日期：2005-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：517-520