GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光

摘要：

嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3～1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3 μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰.变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150 K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征.他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好.同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法.

关键词：量子阱、光致发光、GaAsSb/GaInAs

所属期刊栏目：26

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60276003

在线出版日期：2005-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：507-512