SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx:H薄膜PL峰的影响

摘要：

低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1～3个高强度的可见荧光.在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着显著的变化.通过TEM、IR、XPX等分析手段对其原因进行了研究分析,认为不同配比下,生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同,这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱.

关键词：纳米硅镶嵌结构、SiNx膜、光致发光、低压化学气相沉积

所属期刊栏目：26

分类号：O472.3:O482.31(半导体物理学)

资助基金：中国科学院院长基金936

在线出版日期：2005-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：502-506