TiAl3 和Ti/TiAl3 非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现

摘要：

在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极.在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018 cm-3的GaN上,成功地得到低接触电阻的欧姆接触,并由环形传输线模型方法测得比接触电阻率为3×10-5 Ω*cm2.与通常n型欧姆接触采用的Ti/Al双层结构比较,TiAl3合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触.在此实验基础上,进一步分析了N空位和界面层处的TiAl3在形成非合金化或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl3/Ni/Au接触结构,在TiAl3合金结构基础上明显地降低了接触电阻率.

关键词：欧姆接触、GaN、TiAl3合金、反应离子刻蚀、比接触电阻率

所属期刊栏目：26

分类号：O427.4(声学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA313110;北京大学校科研和教改项目

在线出版日期：2005-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：399-403