10.3321/j.issn:1000-7032.2005.03.020
ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形
采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜.由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X射线双晶ω/2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角.结果表明外延层和衬底在应力作用下产生了取向差和晶格畸变,并且取向倾斜方向与衬底的切割倾角方向一致;高温直接生长的样品的取向差比有低温缓冲层样品更大,晶格畸变也更严重.高温直接生长的样品弯曲半径小而应力更大;实验测量的应力值和理论计算的热应力值之间存在差异,原因主要是晶格失配应力的存在.有缓冲层的样品由于能更好地弛豫晶格失配引入的应力,热应力所占整个残余应力的比例相对更大.
氧化锌、X射线双晶衍射、取向偏差、弯曲半径
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O472.3;O482.31(半导体物理学)
国家高技术研究发展计划863计划2003AA302160;信息产业部电子信息产业发展基金
2005-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
385-390