富硅氮化硅薄膜的荧光发射

摘要：

室温下在3.45 eV的激光激发下,对950 ℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5 个高强度的可见荧光的发射.其峰位位置分别为2.7, 2.69, 2.4, 2.3, 2.1 eV.通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H复合膜,分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系.经过1 000～1 200 ℃快速退火(RTA)处理,原PL谱蓝移并只出现了峰位为3.0, 2.8 eV的两个紫蓝色荧光的发射,用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论.认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用.

关键词：硅镶嵌的SiNx膜、光致发光、内应力、快速退火(RTA)

所属期刊栏目：26

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314703

在线出版日期：2005-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：380-384