硅片上顶发射的有机电致发光器件

摘要：

为了更好地实现有机发光器件在硅片上的有源矩阵显示,有必要探讨在硅片上直接制作透明阴极的顶发射有机发光器件.在顶发射发光器件中,为了到达高的发光效率,底部阳极一般采用高反射率的金属.在通常所用的各种金属当中,金属银对可见光具有很高的反射率,然而由于其具有相当低的功函数,导致与有机材料间能级的不匹配,从而引起有机发光器件中阳极空穴注入的不理想而影响器件的性能.我们在硅片上制备顶发射的有机发光器件,用薄层QAD(quinacridone)作为发光层,表面修饰的银作为阳极,制备的有机发光器件的亮度在外加电压10 V时达到13 700cd/m2,器件的最大电流效率在7 V时达到4.3 cd/A,是没有薄层QAD器件的2倍多,是由在器件中存在Alq3与QAD之间Foster能量转移机制引起的.

关键词：有机发光器件、顶发射、亮度、电流效率

所属期刊栏目：26

分类号：TN383.1;TN873.3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314703;国家自然科学基金60376028,60207003

在线出版日期：2005-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：242-246