MOCVD生长的GaN和GaN:Mg薄膜的拉曼散射

摘要：

通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相GaN和掺Mg的p型GaN薄膜进行了研究.在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm-1附近的两个峰,640 cm-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660 cm-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模.掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果.在掺Mg的样品中还观察到276,376 cm-1几个局域模并给予了解释.同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子-声子相互作用都有可能对E2模的频率产生影响.

关键词：氮化镓、拉曼散射、应力松弛

所属期刊栏目：26

分类号：O433;O472;O765(光学)

资助基金：国家自然科学基金10474078

在线出版日期：2005-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：229-232