氧化锌薄膜Zn/O比和发光性能的关系

摘要：

用直流反应溅射在硅基片上生长具有高取向晶粒的氧化锌薄膜,在氧气、氮气、空气气氛和不同温度下进行热处理,对所得到的样品用俄歇谱(AES)仪进行元素深层分布分析,并测量光致发光光谱.研究结果表明:1.经热处理的薄膜表面全部为缺氧表面,不同深度Zn和O含量分布(Zn/O)有所不同;2.当在氧气氛中1000℃下热处理后,在薄膜的深层可产生比较明显的氧过量;而在空气中950℃下热处理后,则可产生局部氧过量;3.光致发光谱表明,薄膜中全部为锌过量时产生纯紫外发射,而具有局部氧过量的薄膜则在产生紫外发射的同时产生绿色发光,绿光和紫外的强度比则随局部氧过量增多而增大.

关键词：ZnO薄膜、俄歇谱、光致发光、锌氧比

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分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金90201038;中国科学院知识创新工程项目KJCX-SW-04-02;国家自然科学基金50472009,10474091

在线出版日期：2005-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：225-228