双量子阱中的子带光吸收

摘要：

由于微制造技术的不断发展,如液相外延(LPE),气相外延(VPE),金属有机化学气相沉积(MOCVD)以及分子束外延技术(MBE)等先进的材料生长技术方法也日趋完善,从而使得各种低维半导体量子器件(如半导体、超晶格、量子阱、量子线和量子点等)制造日趋成熟.由于这些低维半导体量子器件具有很强的非线性光效应,而且随着材料、外形、尺寸等的不同,非线性光效应也有很大的差别,更由于其可能存在的广泛的应用前景,所以近年来,一直是人们研究的重点.近来,由于人们相信,利用GaAs/AlGaAs量子阱有可能制造出一些新型的光学仪器,如光开关、光限幅器、光调制器等,所以,对不同势形的GaAs/AlGaAs量子阱的非线性光学特性一直吸引着人们进行理论和实验的研究.而在最近几年,对双量子阱的研究也成为了人们的研究重点.通过密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱中的第一、第三阶子带光吸收表达式,我们将用一个典型的GaAs/AlGaAs双量子阱代入其中进行数值计算,并进行讨论.我们的计算结果显示,阱的光吸收峰不但与中间的势垒宽度有关,更与入射光强有关.

关键词：双量子阱、子带光吸收

所属期刊栏目：26

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60478010;广东省自然科学基金030500,04105406

在线出版日期：2005-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：215-219