侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察

摘要：

在有条状SiO2图形的GaN"模板"上,侧向外延方法生长了高质量的GaN.荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生.原因可能是SiO2的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心.在GaN层的厚度达到4.5μm后,侧向的融合开始发生.侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同.在所有的SiO2掩膜上方都形成了空洞.样品在240℃熔融的KOH中腐蚀13min.在SiO2掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度)减少到几乎为零.而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到108cm-2量级.同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关.室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放.

关键词：氮化镓、侧向外延生长、金属有机化学气相沉积

所属期刊栏目：26

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60276010;国家高技术研究发展计划863计划2001AA313060,2001AA313110,2001AA313140

在线出版日期：2005-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：72-76