以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性

摘要：

用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,以Stranski-Krastanow(S-K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs).用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用.依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释.用LP-MOCVD技术,以VolmerWeber(V-W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释.

关键词：CdSe量子点、ZnCdSe量子点、ZnSeS量子点、量子点的形成

所属期刊栏目：26

分类号：O511.2;O482.31(低温物理学)

资助基金：国家自然科学基金69896260;国家自然科学基金60278031,60176003,60376009;中国科学院知识创新工程项目;中国科学院"百人计划";中国科学院重点实验室基金

在线出版日期：2005-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：9-14