10.3321/j.issn:1000-7032.2004.06.022
纳米硅薄膜/多孔氧化铝复合体系光致发光的温度特性
利用高真空电子束蒸发方法在多孔氧化铝衬底上生长了纳米硅薄膜,经过650℃高温真空退火后,在10~300 K温度范围内观测样品的荧光光谱特性,并对样品进行了场扫描电镜(SEMi)、傅里叶变换红外吸收(FTIR)光谱、X射线衍射(XRD)谱的分析.PL谱结果表明,随着温度的升高,样品的发光峰位一般发生红移,但在50~80 K范围内却出现了反常的蓝移现象;样品的发光强度基本是按逐渐减小趋势变化的,在60~80 K之间,发光强度有少许变强.讨论了纳米硅薄膜的光致发光机理,用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释.
纳米硅、光致发光、量子限制-发光中心
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O482.31(固体物理学)
山东省自然科学基金Y2002A09
2005-01-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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725-730