HFCVD法制备纳米晶态SiC及其室温下的光致发光

摘要：

用热丝化学气相沉积(HFCVD)法以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了纳米晶态6H-SiC.为减小6H-SiC与Si衬底之间的晶格失配,在HFCVD系统中通过对Si衬底表面碳化处理制备了缓冲层,确立了形成缓冲层的最佳条件.采用扫描电镜、傅里叶红外吸收谱和X射线衍射等分析手段对样品进行了结构和组分分析.结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的是晶态纳米SiC,纳米晶粒平均尺寸约为60 nm,并在室温下观察到所制备的纳米SiC位于380～420 nm范围内的短波可见光.研究和分析了碳化时间对发光峰及红外吸收峰位置的影响.

关键词：纳米材料、碳化硅、光致发光、碳化、热丝化学气相沉积

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分类号：O473;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314701

在线出版日期：2005-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：721-724