包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜.利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱,研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结构和发光特性.在经过低温退火的薄膜中观测到一个强的可见发光峰.当退火温度较高时,随着与硅悬键有关的发光峰消失,可见发光峰位发生了蓝移.讨论了退火对薄膜中硅团簇的形成及其对发光的影响.根据Raman谱,计算了氮化硅薄膜中硅团簇的尺寸大小.通过实验结果和分析,我们认为PL谱中较强的室温可见发光峰来自于包埋于氮化硅中的硅团簇.

关键词：等离子体增强化学气相沉积、光致发光、硅团簇、量子限制效应

所属期刊栏目：25

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60336020;国家高技术研究发展计划863计划2001AA31112;国家自然科学基金60278031,60176003,60376009;中国科学院知识创新工程项目

在线出版日期：2005-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：705-709