用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜

摘要：

以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分析表征.测试结果表明,实验中制备出的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向和小压应力(0.74 GPa),薄膜表面平整.样品为n型导电,电阻率为1.6 Ω·cm.在室温光致发光谱测量中,首次观察到位于415～433 nm的强的蓝紫光双峰发射,发光双峰的半峰全宽约为400 meV.讨论了In掺杂对薄膜发光特性的影响.

关键词：氧化锌薄膜、In掺杂、光致发光谱、射频反应共溅射

所属期刊栏目：25

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：甘肃省自然科学基金ZS011-A25-050-C

在线出版日期：2005-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：701-704