a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光

摘要：

在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx:H(a-SiCx:H)和非晶Si:H(a-Si:H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a-SiCx:H/nc-Si:H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜.利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的结构特性.通过对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究,结果表明:随着退火温度的升高,发光峰位置开始出现一些红移现象;当退火温度为900℃时,样品的发光强度和发光衰减时间分别达到最大值和最小值;随着退火温度的继续升高,发光峰位置又开始出现蓝移现象.由此探讨纳米a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的发光特性和发光机理.

关键词：a-SiCx:H/Si:H多层薄膜、等离子体增强化学气相沉积、热退火

所属期刊栏目：25

分类号：O473;O482.31(半导体物理学)

资助基金：广东省自然科学基金001911

在线出版日期：2005-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：696-700