10.3321/j.issn:1000-7032.2004.05.019
一种新型阳极氧化多孔硅技术
在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径,提出了一种新型阳极氧化方法,并探讨了该方法所涉及的阳极氧化条件.采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,发现氧化使多孔硅光致发光性质得到极大改善,进而研究了氧化电流、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响,并给出了合理解释.实验发现,在1 mA,10min,60℃的氧化条件下,采用阳极氧化技术使多孔硅发光强度增强了18倍.
多孔硅(PS)、湿法氧化、光致发光(PL)
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O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金60336010
2004-12-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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