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10.3321/j.issn:1000-7032.2004.05.019

一种新型阳极氧化多孔硅技术

引用
在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径,提出了一种新型阳极氧化方法,并探讨了该方法所涉及的阳极氧化条件.采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,发现氧化使多孔硅光致发光性质得到极大改善,进而研究了氧化电流、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响,并给出了合理解释.实验发现,在1 mA,10min,60℃的氧化条件下,采用阳极氧化技术使多孔硅发光强度增强了18倍.

多孔硅(PS)、湿法氧化、光致发光(PL)

25

O482.31(固体物理学)

国家自然科学基金60336010

2004-12-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

561-566

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1000-7032

22-1116/O4

25

2004,25(5)

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