10.3321/j.issn:1000-7032.2004.05.018
铜掺杂多孔硅的光致荧光猝灭
采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一铜镀层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响.实验表明,掺铜对多孔硅的光致发光具有明显的猝灭效应,并使多孔硅的发光峰位蓝移.由于多孔硅表面铜的吸附使硅-氢键明显减少,而铜原子和硅的悬挂键成键会形成新的非辐射复合中心,从而使多孔硅的光致发光强度衰减.且浸泡溶液的浓度越高,这种猝灭效应越明显.而多孔硅发光峰位的蓝移,则是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故.
多孔硅、光致发光、傅里叶变换红外、浸泡镀敷、猝灭
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O482.31(固体物理学)
山东省自然科学基金Y2002A09
2004-12-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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