铜掺杂多孔硅的光致荧光猝灭

摘要：

采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一铜镀层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响.实验表明,掺铜对多孔硅的光致发光具有明显的猝灭效应,并使多孔硅的发光峰位蓝移.由于多孔硅表面铜的吸附使硅-氢键明显减少,而铜原子和硅的悬挂键成键会形成新的非辐射复合中心,从而使多孔硅的光致发光强度衰减.且浸泡溶液的浓度越高,这种猝灭效应越明显.而多孔硅发光峰位的蓝移,则是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故.

关键词：多孔硅、光致发光、傅里叶变换红外、浸泡镀敷、猝灭

所属期刊栏目：25

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金Y2002A09

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：556-560