用电化学沉积法制备ZnO/Cu2O异质p-n结

摘要：

由于p型ZnO的制备仍然存在一定的困难,限制了ZnO在光电方面的应用,尤其是在发光二极管和激光器的实际应用,目前利用p型的透明半导体氧化物与n型ZnO制备异质p-n结,成为新的研究热点.选择p型导电Cu2O与ZnO制备出异质p-n结.Cu2O是一种典型的p型半导体材料,禁带宽度为2.1 eV,可见光范围的吸收系数较高.首次利用电化学沉积的方法制备了ZnO/Cu2O异质p-n结,研究了电沉积ZnO,Cu2O的生长机制和ZnO/Cu2O异质结的结构、光学和电学特性.

关键词：氧化锌、氧化亚铜、异质结

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分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60176003,60376009,60278031

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：533-536